CS2350M雙恒電位儀

產(chǎn)品型號：

所屬分類：電化學工作站

更新時間：2025-03-05

簡要描述：可以實現(xiàn)2個通道同步測試，搭配旋轉(zhuǎn)環(huán)盤電極（RRDE）使用。
● 雙通道電化學工作站，各通道獨立測試，性價比高
● 經(jīng)典應用：盤環(huán)電極測試（RRDE）、氫擴散測試（HDT）
● 全浮地模式，性價比高
● 電壓控制范圍：±10V，槽壓為±21V
● 電流控制范圍：±1A（可擴展至20A/40A/100A）
● 電位分辨率：1μV，電流分辨率：1pA（可選

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詳細說明：

產(chǎn)品介紹

CS2350M雙恒電位儀內(nèi)置兩套恒電位/恒電流儀，每套恒電位儀各有一套輔助、工作和參比電極輸出，并由CS Studio測試軟件來協(xié)調(diào)輸出電位/電流，CS2350M是真正意義上的雙通道電化學工作站。
具體應用于：
1. 雙通道獨立使用，可同時進行兩組常規(guī)電化學測試；
2. 雙通道組合使用，可用于電化學分析四電極工作體系，尤其在氧還原（ORR）中間產(chǎn)物收集、金屬氫擴散測試有廣泛應用。

技術(shù)優(yōu)勢

CS2350M雙恒電位儀不僅具有CS單通道系列高精度、寬量程以及強大的數(shù)據(jù)分析處理功能，而且在原有產(chǎn)品的基礎(chǔ)上創(chuàng)新突破。 CS2350M雙通道硬件設(shè)計可以實現(xiàn)兩組實驗體系的測試要求，同時，軟件的組合編程功能大大提高了實驗的效率。

典型案例

1. 雙通道獨立測試
使用專用的電池測試夾，配合軟件的組合編程功能，給電池能源領(lǐng)域的用戶帶來更高效、更智能的測試體驗。

圖1.雙通道獨立測量參數(shù)設(shè)置界面

2.配合旋轉(zhuǎn)環(huán)盤電極（RRDE）用于研究氧化還原體系：
在測量圓盤電極極化曲線的同時，將環(huán)電壓設(shè)置為恒電位，控制圓環(huán)電極在固定的極化電勢，用以檢測圓盤電極上產(chǎn)生的反應中間物，該方法也成為檢測反應中間物和研究電極反應機理的典型流體動力學方法。氧還原反應的電子轉(zhuǎn)移數(shù)和相應的雙氧水（中間產(chǎn)物）產(chǎn)率可分別通過公式測得：

其中知I_disk和I_ring分別為測得的盤電流、環(huán)電流，電極收集效率N由盤環(huán)電極參數(shù)決定（常數(shù)）。將測試結(jié)果代入以上公式即求得實際反應的電子轉(zhuǎn)移數(shù)n 和H₂O₂（%）所占比例。

CS2350M雙恒電位儀

圖2.氧還原（ORR）中間產(chǎn)物檢測

3. 金屬中氫擴散測試：
兩個恒電位裝置配合Devnathan-Stachurski 雙電解池，通過左側(cè)電解池的陰極充氫和右側(cè)電解的氫原子陽極氧化電流測量，進而計算氫原子在金屬中擴散系數(shù)和氫通量。

CS2350M雙恒電位儀

圖3.金屬中氫擴散控制

技術(shù)指標

硬件參數(shù)指標

雙恒電位儀：單恒電位電位控制范圍：±10V，雙恒電位儀電位控制范圍:±10V	恒電流控制范圍：±1A（可擴展至20A/40A/100A）
電位控制精度：0.1%	電流控制精度：0.1%
電位靈敏度：1μV	電流靈敏度：1pA（可選100fA）
電位上升時間：1μs	電流量程：2A～2nA 10檔
參比電極輸入阻抗：10¹³Ω\|\|8pF	最大輸出電流：±1A（可擴展至20A/40A/100A）
槽壓輸出：±21V	電流掃描增量：1mA@1A/ms
CV和LSV掃描速度：0.001mV～10,000V/s	電位掃描電位增量：0.076mV @1V/ms
CA和CC脈沖寬度：0.0001～65,000s	DPV和NPV脈沖寬度：0.0001～1000s
SWV頻率：0.001～100KHz	CV的最小電位增量：0.020mV
AD數(shù)據(jù)采集：16bit@1MHz，20bit @1kHz	電流與電位量程：自動設(shè)置
DA分辨率：16bit，建立時間：1μs	低通濾波器：8段可編程
通訊接口：網(wǎng)口	儀器凈重：7.5Kg
外形尺寸（mm）：365(W)X338(D)X140(H)

電化學阻抗測量指標

信號發(fā)生器
頻率響應：10μHz～1MHz	交流信號幅值：0mV～2500mV
頻率精確度：0.005%	信號分辨率：0.1mV RMS
DDS輸出阻抗：50Ω	直流偏壓：-10V～+10V
正弦波失真率：<1%	波形：正弦波，三角波，方波
掃描方式：對數(shù)/線性，增加/下降
信號分析器
最大積分時間：10⁶個循環(huán)或者10⁵s	測量時間延遲：0～10⁵s
最小積分時間：10ms或者一個循環(huán)的最長時間
直流偏置補償
電位補償范圍：-10V～+10V	電流補償范圍：-1A～+1A
帶寬調(diào)整：自動或手動設(shè)置, 共8級可調(diào)

儀器配置

1）儀器主機1臺
2）CS Studio測試與分析軟件1套
3）模擬電解池1個
4）電源線、網(wǎng)線各1條
5）電極電纜線2條
6）電腦（選配*）

功能方法

穩(wěn)態(tài)極化
開路電位測量（OCP）、恒電位極化（i-t曲線）、恒電流極化、動電位掃描（TAFEL曲線）、動電流掃描（DGP）
暫態(tài)極化
任意恒電位階梯波、任意恒電流階梯波、恒電位階躍（VSTEP）、恒電流階躍（ISTEP）
計時分析
計時電位法（CP）、計時電流法（CA）、計時電量法（CC）
伏安分析
線性掃描伏安法（LSV）、循環(huán)伏安法（CV）、階梯循環(huán)伏安法（SCV）、方波伏安法（SWV）、差分脈沖伏安法（DPV）、常規(guī)脈沖伏安法（NPV）、常規(guī)差分脈沖伏安法（DNPV）、差分脈沖電流檢測法（DPA）、雙差分脈沖電流檢測法（DDPA）、三脈沖電流檢測法（TPA）、積分脈沖電流檢測法（IPAD）、交流伏安法（ACV）、二次諧波交流伏安（SHACV）、傅立葉變換交流伏安（FTACV）
溶出伏安
恒電位溶出伏安、線性溶出伏安、階梯溶出伏安、方波溶出伏安、差分脈沖溶出伏安、常規(guī)脈沖溶出伏安、常規(guī)差分脈沖溶出伏安、交流溶出伏安
交流阻抗
頻率掃描-電位控制模式（EIS-V）、頻率掃描-電流控制模式（EIS-I）、電位掃描（IMPE,Mott-Schotty) 、時間掃描-電位控制模式、時間掃描-電流控制模式
腐蝕測量
循環(huán)極化曲線（CPP）、線性極化曲線（LPR）、動電位再活化法（EPR)、電化學噪聲（EN）、電偶腐蝕測量（ZRA）
電池測試
電池充放電測試、恒電流充放電（GCD）、恒電位充放電（PCD）、恒電位間歇滴定技術(shù)（PITT）、恒電流間歇滴定技術(shù)（GITT）
雙恒測量
氫擴散測試（HDT）、盤環(huán)電極測試（RRDE）、法拉第效率測試（FET）
擴展測量
盤環(huán)電極測試、數(shù)字記錄儀、波形發(fā)生器、圓盤電機控制、其它外設(shè)擴展端口（定制）